Fiche technique
- Capacity
- 1TB
- Interface
- PCIe Gen4 x4, NVMe 2.0
- Form Factor
- M.2 2280
- Sequential Read Speed
- Up to 7,150 MB/s
- Sequential Write Speed
- Up to 6,900 MB/s
- Random Read IOPS (4KB, QD32)
- Up to 1,200,000
- Random Write IOPS (4KB, QD32)
- Up to 1,550,000
- NAND Flash
- Samsung V-NAND 3-bit MLC
- Controller
- Samsung in-house controller
- DRAM Cache
- Yes
- Endurance (TBW)
- 600 TB
- MTBF
- 1.5 million hours
- Operating Temperature
- 0°C to 70°C
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Dès 10 000 DH
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Produits Certifiés
Qualité garantie
Description
Le Samsung 990 EVO Plus 1TB est un SSD interne NVMe haute performance disponible au Maroc, conçu pour les gamers exigeants, les créateurs de contenu et les utilisateurs recherchant puissance, fluidité et fiabilité dans un format M.2 2280 compact et évolutif.
Équipé d'une interface PCIe Gen4 x4 avec protocole NVMe 2.0 et d'une mémoire Samsung V-NAND 3-bit MLC, ce SSD offre des vitesses de lecture séquentielle jusqu'à 7 150 MB/s et d'écriture jusqu'à 6 900 MB/s, avec des performances aléatoires allant jusqu'à 1 200 000 IOPS en lecture et 1 550 000 IOPS en écriture (4KB, QD32). Il réduit considérablement les temps de chargement pour les jeux AAA récents comme Call of Duty, Cyberpunk 2077, God of War Ragnarök, Starfield, Fortnite, Valorant et GTA V. Les créateurs de contenu profitent également de transferts de fichiers rapides pour le montage vidéo 4K et la 3D.
Avec sa capacité de 1 To, son cache DRAM, son contrôleur Samsung maison et son endurance de 600 TB, il assure des performances stables et durables. Son MTBF de 1,5 million d'heures et sa plage de fonctionnement de 0°C à 70°C garantissent fiabilité et longévité. Il est compatible avec les PC de bureau et ordinateurs portables dotés d'un port M.2 NVMe PCIe Gen4. Version boîte.
Idéal pour : gaming intensif, chargements rapides, montage vidéo 4K, création de contenu, multitâche, usage professionnel.
État neuf scellé. Profitez du meilleur prix au Maroc sur GHM.ma, votre spécialiste en matériel gaming à Casablanca, Rabat, Marrakech, Tanger, Fès, Agadir et partout au Maroc.
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Fiche technique
- Capacity
- 1TB
- Interface
- PCIe Gen4 x4, NVMe 2.0
- Form Factor
- M.2 2280
- Sequential Read Speed
- Up to 7,150 MB/s
- Sequential Write Speed
- Up to 6,900 MB/s
- Random Read IOPS (4KB, QD32)
- Up to 1,200,000
- Random Write IOPS (4KB, QD32)
- Up to 1,550,000
- NAND Flash
- Samsung V-NAND 3-bit MLC
- Controller
- Samsung in-house controller
- DRAM Cache
- Yes
- Endurance (TBW)
- 600 TB
- MTBF
- 1.5 million hours
- Operating Temperature
- 0°C to 70°C
